Kuthekera kwa maselo a heterojunction a 26.6% pa zowotcha za silicon zamtundu wa P zakwaniritsidwa.

The heterojunction yopangidwa pa amorphous/crystalline silicon (a-Si:H/c-Si) ili ndi mawonekedwe apadera amagetsi, oyenera ma cell a solar a silicon heterojunction (SHJ). Kuphatikizika kwa ultra-thin a-Si:H passivation layer inapeza mphamvu yamagetsi yotseguka (Voc) ya 750 mV. Kuphatikiza apo, gawo la a-Si: H lolumikizana, lopangidwa ndi mtundu wa n kapena p-mtundu, limatha kuwunikira mosakanikirana, kuchepetsa kuyamwa kwa parasitic ndikuwonjezera kusankhidwa kwa chotengera ndi kusonkhanitsa bwino.

Xu Xixiang, Li Zhenguo wa LONGi Green Energy Technology Co., Ltd. Olembawo adagwiritsa ntchito phosphorous diffusion gettering pretreatment strategy ndikugwiritsa ntchito nanocrystalline silicon (nc-Si:H) polumikizana ndi chonyamulira, kukulitsa kwambiri mphamvu ya cell ya solar ya P-mtundu wa SHJ mpaka 26.56%, motero kukhazikitsa chizindikiro chatsopano cha P. -mtundu wa silicon solar cell.

Olembawo amapereka zokambirana mwatsatanetsatane pa chitukuko cha chipangizochi ndi kusintha kwa photovoltaic. Pomaliza, kuwunika kutayika kwa mphamvu kunachitika kuti adziwe njira yamtsogolo yaukadaulo wa P-mtundu wa SHJ.